VSON-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs 3,409En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 20 V 12 A 14 mOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 11.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT 3,976En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 15 A 14.3 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E 986En existencias
Min.: 1
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: 250

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 10 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 42.8 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2,237En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 27 A 33 mOhms - 8 V, 8 V 800 mV 6.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87334Q3DT 1,323En existencias
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Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 8.3 mOhms, 8.3 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 8.3 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pow er Block A 595-CSD8 A 595-CSD87334Q3D 476En existencias
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: 250

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 8.3 mOhms, 8.3 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 8.3 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET 275En existencias
5,000Se espera el 9/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 10 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 42.8 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3D Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 250

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 15 A 13.4 mOhms 950 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel