|
|
IGBTs N-CHANNEL IGBT
- STGW30NC120HD
- STMicroelectronics
-
1:
$6.35
-
2,395En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW30NC120HD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-CHANNEL IGBT
|
|
2,395En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
- STGF7NB60SL
- STMicroelectronics
-
1:
$2.48
-
2,872En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7NB60SL
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
|
|
2,872En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3 FP
|
|
|
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
- STGD7NB60ST4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.19
-
4,997En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NB60ST4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
|
|
4,997En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
IGBTs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
- STP3N150
- STMicroelectronics
-
1:
$6.52
-
1,211En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
|
|
1,211En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
- STW3N170
- STMicroelectronics
-
1:
$6.67
-
707En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
|
|
707En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh
- STW4N150
- STMicroelectronics
-
1:
$8.12
-
1,241En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh
|
|
1,241En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
- STE40NC60
- STMicroelectronics
-
1:
$42.48
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
|
|
30En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ISOTOP-4
|
|
|
|
IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
- STGB20NB41LZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$4.59
-
446En existencias
-
1,000Se espera el 11/6/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGB20NB41LZ
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
|
|
446En existencias
1,000Se espera el 11/6/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
IGBTs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
- STGD6NC60H-1
- STMicroelectronics
-
1:
$2.16
-
2,001En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD6NC60H-1
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
|
|
2,001En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
IPAK-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
- STH3N150-2
- STMicroelectronics
-
1:
$6.61
-
54En existencias
-
27,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
|
|
54En existencias
27,000En pedido
Existencias:
54 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
9,000 Se espera el 25/11/2026
18,000 Se espera el 26/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET
- STP4N150
- STMicroelectronics
-
1:
$6.26
-
56En existencias
-
5,000Se espera el 13/8/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET
|
|
56En existencias
5,000Se espera el 13/8/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
- STW3N150
- STMicroelectronics
-
1:
$5.56
-
7,200En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
|
|
7,200En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp
- STE53NC50
- STMicroelectronics
-
1:
$42.94
-
395En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp
|
|
395En pedido
En pedido:
195 Se espera el 29/1/2027
200 Se espera el 5/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ISOTOP-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
- STFW3N150
- STMicroelectronics
-
1:
$5.77
-
6,600En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
|
|
6,600En pedido
En pedido:
4,200 Se espera el 1/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
34 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
- STFW3N170
- STMicroelectronics
-
1:
$7.15
-
1,760En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
|
|
1,760En pedido
En pedido:
860 Se espera el 2/4/2027
900 Se espera el 25/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
34 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
- STFW4N150
- STMicroelectronics
-
1:
$7.22
-
900Se espera el 25/6/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
|
|
900Se espera el 25/6/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|
|
|
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
- STGE200NB60S
- STMicroelectronics
-
1:
$33.44
-
300En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGE200NB60S
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
|
|
300En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
ISOTOP-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
- STW9N150
- STMicroelectronics
-
1:
$10.46
-
1,199En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
|
|
1,199En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
IGBTs N Ch 10A 600V
- STGD10NC60HT4
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.682
-
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD10NC60HT4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N Ch 10A 600V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
:
2,500
|
|
IGBTs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|