|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
- 2SC5359-O(Q)
- Toshiba
-
1:
$4.70
-
500En existencias
-
1,000Se espera el 2/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5359-O(Q)
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
|
|
500En existencias
1,000Se espera el 2/11/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
- TTC0002(Q)
- Toshiba
-
1:
$4.64
-
380En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TTC0002Q
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
|
|
380En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Rectificadores Dual ultrafast power diode
- BYV415K-600PQ
- WeEn Semiconductors
-
1:
$3.39
-
474En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BYV415K-600P
|
WeEn Semiconductors
|
Rectificadores Dual ultrafast power diode
|
|
474En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V
- DPG60C200QB
- IXYS
-
1:
$8.82
-
4En existencias
-
30Se espera el 17/5/2027
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C200QB
Fin de vida útil
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V
|
|
4En existencias
30Se espera el 17/5/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
- DPG60C300QB
- IXYS
-
1:
$9.06
-
6En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
747-DPG60C300QB
Fin de vida útil
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
|
|
6En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
- IXTQ60N20T
- IXYS
-
1:
$7.41
-
274En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ60N20T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
|
|
274En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A
- 2SA1943-O(Q)
- Toshiba
-
1:
$5.29
-
7,647En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SA1943-O(Q)
NRND
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A
|
|
7,647En pedido
En pedido:
1,847 Pendiente
2,400 Se espera el 30/10/2026
3,400 Se espera el 9/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SC5200-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
$6.82
-
1,038En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5200-OS1F
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
1,038En pedido
En pedido:
450 Se espera el 2/11/2026
588 Se espera el 10/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
10 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Rectificadores 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER3003PT C0
- Taiwan Semiconductor
-
1:
$3.22
-
319En existencias
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
821-HER3003PTC0
Verificar estado con la fábrica
|
Taiwan Semiconductor
|
Rectificadores 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
319En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 50 Amp 1200 Volt
- BTW69-1200RG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.24
-
3,659En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-BTW69-1200
|
STMicroelectronics
|
SCR 50 Amp 1200 Volt
|
|
3,659En pedido
En pedido:
1,859 Se espera el 23/11/2026
1,800 Se espera el 27/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
- IXTQ40N50L2
- IXYS
-
1:
$24.10
-
300Se espera el 2/2/2027
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ40N50L2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
|
|
300Se espera el 2/2/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
- CMA50E1600QB
- IXYS
-
1:
$8.91
-
26Se espera el 19/3/2027
|
N.º de artículo de Mouser
747-CMA50E1600QB
|
IXYS
|
SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
|
|
26Se espera el 19/3/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS
- NJW44H11G
- onsemi
-
1:
$3.71
-
101Se espera el 25/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW44H11G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS
|
|
101Se espera el 25/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
- IXTQ30N60P
- IXYS
-
1:
$12.95
-
762Existencias en fábrica disponibles
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ30N60P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
|
|
762Existencias en fábrica disponibles
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 50 Amp 800 Volt
- BTW69-800RG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.11
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-BTW69-800
|
STMicroelectronics
|
SCR 50 Amp 800 Volt
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 20 Amps 600V
- DHG20C600QB
- IXYS
-
1:
$5.69
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-DHG20C600QB
|
IXYS
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 20 Amps 600V
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ22N60P3
- IXYS
-
300:
$6.58
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ22N60P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
- IXFQ24N60X
- IXYS
-
1:
$8.84
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ24N60X
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ28N60P3
- IXYS
-
1:
$9.51
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ28N60P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
- IXFQ30N60X
- IXYS
-
1:
$9.53
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ30N60X
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- IXFQ34N50P3
- IXYS
-
300:
$6.19
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ34N50P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
- IXFQ50N50P3
- IXYS
-
1:
$13.56
-
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ50N50P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
|
|
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ50N60P3
- IXYS
-
300:
$7.39
-
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ50N60P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
- IXFQ50N60X
- IXYS
-
300:
$8.63
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ50N60X
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
- IXFQ60N25X3
- IXYS
-
300:
$6.46
-
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ60N25X3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|