HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 719
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
Hoja de datos
5,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Hoja de datos
620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
1,094En existencias
1,140Se espera el 28/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 5.4 Rds
Hoja de datos
2,803En existencias
180Se espera el 27/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.5 mOhms - 55 C + 175 C 550 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
Hoja de datos
1,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
520En existencias
1,900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
4,152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 38 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Hoja de datos
1,528En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
Hoja de datos
788En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Hoja de datos
472En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Hoja de datos
529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
274En existencias
25Se espera el 29/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 132 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
420En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 268 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 800V 0.14 Rds
Hoja de datos
78En existencias
300Se espera el 25/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 60 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
230En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
Hoja de datos
1,913En existencias
5,010En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V
Hoja de datos
641En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds
Hoja de datos
1,049En existencias
720Se espera el 3/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
Hoja de datos
768En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 253 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1
Hoja de datos
158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
Hoja de datos
2,352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds
Hoja de datos
310En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 71 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Hoja de datos
808En existencias
180Se espera el 29/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube