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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
Hoja de datos
1,394En existencias
Cinta cortada
$4.91
$2.54
$2.29
$2.00
Envase tipo carrete
$1.80
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms 20 V 3.9 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
247En existencias
$15.54
$11.84
$9.07
$8.84
$8.32
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms 20 V 2.1 V 255 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
7,960En existencias
$13.70
$7.64
$7.27
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 70 mOhms 20 V 2.1 V 252 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
Hoja de datos
991En existencias
Cinta cortada
$4.31
$2.37
$2.16
$1.85
Envase tipo carrete
$1.74
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
Hoja de datos
2,510En existencias
Cinta cortada
$4.65
$2.39
$2.17
$1.86
Envase tipo carrete
$1.75
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
1,873En existencias
5,280En pedido
$9.86
$5.31
$4.91
$4.73
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 32 A 110 mOhms 20 V 2.1 V 170 nC - 55 C + 150 C 284 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
1,679En existencias
7,200En pedido
$6.04
$3.19
$2.86
$2.64
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
467En existencias
$5.27
$2.77
$2.51
$1.95
$1.89
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 34.5 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
160En existencias
$4.84
$2.53
$1.94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 280 mOhms 20 V 3.9 V 66 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3
Hoja de datos
369En existencias
$5.44
$2.84
$2.58
$2.47
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.7 A 160 mOhms 20 V 3.9 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
116En existencias
$10.93
$7.72
$6.44
$5.73
$5.35
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 100 mOhms 20 V 2.1 V 150 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3
Hoja de datos
793En existencias
$4.65
$2.39
$2.17
$1.78
$1.75
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
240Se espera el 30/11/2026
$10.85
$5.90
$5.46
$5.43
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34.6 A 81 mOhms 20 V 2.1 V 200 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
$3.42
$1.71
$1.55
$1.22
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms 20 V 3.9 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube