Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE020N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.67 3,936En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE020N04LM6CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	3,936En existencias	Cinta cortada $2.67 $1.31 $1.18 $0.942 Ver Envase tipo carrete $0.824 $0.922 $0.894 $0.824	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	166 A	2.05 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE020N04LM6CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $2.92 4,704En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE020N04LM6CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	4,704En existencias	Cinta cortada $2.92 $1.45 $1.30 $1.05 Ver Envase tipo carrete $0.809 $0.987 $0.953 $0.809	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WTFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	166 A	2.05 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ018N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.12 33,819En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ018N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	33,819En existencias	Cinta cortada $2.12 $1.10 $0.979 $0.779 Ver Envase tipo carrete $0.655 $0.751 $0.725 $0.655 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.1 mOhms	20 V	2.3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.07 28,297En existencias 5,000Se espera el 3/12/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ024N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ024N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	28,297En existencias 5,000Se espera el 3/12/2026	Cinta cortada $2.07 $0.991 $0.886 $0.701 Ver Envase tipo carrete $0.537 $0.626 $0.572 $0.537 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.8 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.46 203En existencias 30,000Se espera el 8/4/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC010N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	203En existencias 30,000Se espera el 8/4/2027	Cinta cortada $2.46 $1.32 $1.07 $0.856 Ver Envase tipo carrete $0.717 $0.817 $0.769 $0.717 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1 mOhms	20 V	1.3 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC059N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.09 738En existencias 50,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC059N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC059N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	738En existencias 50,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC059N04LS6ATMA1 Existencias: 738 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 30,000 Se espera el 5/11/2026 20,000 Se espera el 29/7/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.09 $0.662 $0.466 $0.336 Ver Envase tipo carrete $0.209 $0.305 $0.288 $0.209 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	59 A	5.9 mOhms	20 V	1.3 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.75 38,763En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC007N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC007N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	38,763En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC007N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 13,763 Se espera el 7/1/2027 25,000 Se espera el 8/4/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $4.75 $3.11 $2.32 $1.94 Ver Envase tipo carrete $1.69 $1.80 $1.69 $1.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	381 A	700 uOhms	20 V	1.3 V	94 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.59 339,761En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC022N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	339,761En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC022N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 109,761 Se espera el 30/12/2026 70,000 Se espera el 18/2/2027 160,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.59 $0.744 $0.662 $0.518 Envase tipo carrete $0.408 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 7,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.2 mOhms	20 V	1.3 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	79 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.26 159,714En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ063N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ063N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	159,714En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ063N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 44,714 Se espera el 8/4/2027 25,000 Se espera el 6/5/2027 90,000 Se espera el 24/6/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.26 $0.62 $0.514 $0.401 $0.396 Envase tipo carrete $0.301 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	7 mOhms	20 V	2.3 V	9.5 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ021N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.04 14,976En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ021N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ021N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	14,976En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ021N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4,976 Se espera el 22/7/2027 10,000 Se espera el 26/8/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.04 $0.981 $0.878 $0.772 $0.717 Envase tipo carrete $0.588 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.4 mOhms	20 V	2.3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

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