Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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Enhancement

OptiMOS

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BSZ024N04LS6ATMA1
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726-BSZ024N04LS6ATMA

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40 A

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OptiMOS

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BSZ063N04LS6ATMA1
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BSZ063N04LS6ATMA1

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40 A

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+ 175 C

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