SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Resultados: 127
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Hoja de datos
1,110En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Hoja de datos
371En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 450MOHM T0-220F
Hoja de datos
3,759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19.3 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 PKG
Hoja de datos
591En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 153 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
Hoja de datos
863En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
Hoja de datos
494En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
Hoja de datos
960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
Hoja de datos
291En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 165MOHM 19A
Hoja de datos
414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 154 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
Hoja de datos
438En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19.3 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 282 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
Hoja de datos
896En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 800V 360MOHM TO-220
Hoja de datos
607En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25.3 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 125MOHM E TO220
Hoja de datos
352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
Hoja de datos
440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-3
Hoja de datos
214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM TO-220F
Hoja de datos
769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET82MOHM TO247
Hoja de datos
450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET 650V 82MOHM
Hoja de datos
2,269En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-247
Hoja de datos
1,263En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V FAST 125MOHM WITH TO-220
Hoja de datos
789En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4.3 V 37.3 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET,190M
Hoja de datos
1,505En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 70mOhm
Hoja de datos
739En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
Hoja de datos
3,972En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm
Hoja de datos
900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
Hoja de datos
1,390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube