|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R950CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.97
-
4,487En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,487En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
6.6 A
|
2.25 Ohms
|
20 V
|
3 V
|
10.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
53 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R500CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.44
-
19,999En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
19,999En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
7.6 A
|
500 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
18.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
57 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R190CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.99
-
2,500En existencias
-
2,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,500En existencias
2,000En pedido
Existencias:
2,500 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 8/10/2026
1,000 Se espera el 22/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
24.8 A
|
450 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
47.2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
32 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R280CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.06
-
12,588En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
12,588En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
18.1 A
|
280 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
32.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
119 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R800CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.34
-
1,501En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,501En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
7.6 A
|
720 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
12.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
26.4 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R950CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.31
-
996En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
996En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
550 V
|
6.6 A
|
2.22 Ohms
|
20 V
|
3 V
|
10.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
25.7 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R280CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.87
-
3,860En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,860En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
18.1 A
|
280 mOhms
|
20 V
|
3.5 V
|
32.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
30.4 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R380CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.68
-
4,457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R380CEAUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,457En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
14.1 A
|
380 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
24.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
98 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R500CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.51
-
912En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
912En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
11.1 A
|
1.17 Ohms
|
20 V
|
3 V
|
18.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
28 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R380CE
- Infineon Technologies
-
1:
$1.77
-
648En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
648En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
14.1 A
|
340 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
24.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
29.2 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R380CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.86
-
1,475En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,475En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
14.1 A
|
340 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
24.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
29.2 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN50R2K0CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.80
-
2,622En existencias
-
6,000Se espera el 29/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,622En existencias
6,000Se espera el 29/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
2.4 A
|
4.68 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
- IPP50R190CEXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.90
-
460En existencias
-
1,000Se espera el 19/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
|
|
460En existencias
1,000Se espera el 19/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
24.8 A
|
170 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
47.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
152 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R800CE
- Infineon Technologies
-
1:
$1.52
-
239En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
239En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
7.6 A
|
720 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
12.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
26.4 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN50R1K4CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.82
-
3,014En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,014En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
3.1 A
|
3.28 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
8.2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.93
-
68En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
68En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
3.6 A
|
2 Ohms
|
20 V
|
3 V
|
6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
33 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R3K0CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.77
-
2,350En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,350En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
2.6 A
|
3 Ohms
|
20 V
|
3 V
|
4.3 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
26 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
- IPP50R190CE
- Infineon Technologies
-
1:
$2.91
-
Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
|
|
Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
24.8 A
|
190 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
47.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
152 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|