Resultados: 18
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4,487En existencias
Cinta cortada
$0.97
$0.447
$0.395
$0.303
Envase tipo carrete
$0.225
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Min.: 1
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 6.6 A 2.25 Ohms 20 V 3 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 19,999En existencias
Cinta cortada
$1.44
$0.675
$0.60
$0.469
Envase tipo carrete
$0.38
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 500 mOhms 20 V 3 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,500En existencias
2,000En pedido
$2.99
$1.52
$1.33
$1.04
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 450 mOhms 20 V 3 V 47.2 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 12,588En existencias
Cinta cortada
$2.06
$0.989
$0.884
$0.701
Envase tipo carrete
$0.578
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 18.1 A 280 mOhms 20 V 3 V 32.6 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,501En existencias
$1.34
$0.625
$0.555
$0.487
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 720 mOhms 20 V 2.5 V 12.4 nC - 40 C + 150 C 26.4 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 996En existencias
$1.31
$0.612
$0.543
$0.474
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 6.6 A 2.22 Ohms 20 V 3 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 25.7 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3,860En existencias
$1.87
$0.892
$0.835
$0.661
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18.1 A 280 mOhms 20 V 3.5 V 32.6 nC - 40 C + 150 C 30.4 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4,457En existencias
Cinta cortada
$1.68
$0.797
$0.71
$0.558
Envase tipo carrete
$0.455
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 380 mOhms 20 V 3 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 912En existencias
$1.51
$0.716
$0.637
$0.499
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.1 A 1.17 Ohms 20 V 3 V 18.7 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 648En existencias
$1.77
$1.11
$0.728
$0.576
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 340 mOhms 20 V 2.5 V 24.8 nC - 40 C + 150 C 29.2 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,475En existencias
$1.86
$1.37
$0.873
$0.584
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 340 mOhms 20 V 2.5 V 24.8 nC - 40 C + 150 C 29.2 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,622En existencias
6,000Se espera el 29/10/2026
Cinta cortada
$0.80
$0.361
$0.318
$0.242
Envase tipo carrete
$0.175
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 4.68 Ohms 20 V 2.5 V 6 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 460En existencias
1,000Se espera el 19/10/2026
$2.90
$1.43
$1.29
$1.00
$0.922
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 239En existencias
$1.52
$0.94
$0.619
$0.487
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.6 A 720 mOhms 20 V 2.5 V 12.4 nC - 40 C + 150 C 26.4 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3,014En existencias
Cinta cortada
$0.82
$0.386
$0.341
$0.26
Envase tipo carrete
$0.20
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3.1 A 3.28 Ohms 20 V 2.5 V 8.2 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 68En existencias
Cinta cortada
$0.93
$0.558
$0.393
$0.282
$0.255
Envase tipo carrete
$0.199
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.6 A 2 Ohms 20 V 3 V 6 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,350En pedido
Cinta cortada
$0.77
$0.357
$0.303
$0.231
Envase tipo carrete
$0.176
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 2.6 A 3 Ohms 20 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
$2.91
$1.88
$1.29
$1.04
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 190 mOhms 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube