Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 8

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: $2.30
2,840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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Cinta cortada

$2.30

$1.44

$0.948

$0.752

$0.719

Envase tipo carrete

$0.611

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

NTMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: $2.25
4,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS7D3N04CLTWG

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863-NTMYS7D3N04CLTWG

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Cinta cortada

$2.25

$1.43

$0.961

$0.779

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$0.674

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: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

NTMYS025N06CLTWG
onsemi
1: $2.30
1,853En existencias

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NTMYS025N06CLTWG

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863-NTMYS025N06CLTWG

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Cinta cortada

$2.30

$1.44

$0.947

$0.751

$0.668

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$0.57

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.7 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel

NTMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: $2.23
3,020En existencias

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NTMYS8D0N04CTWG

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863-NTMYS8D0N04CTWG

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$2.23

$1.42

$0.953

$0.773

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$0.646

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

NTMYS011N04CTWG
onsemi
1: $2.15
1,109En existencias

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NTMYS011N04CTWG

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863-NTMYS011N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

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1,109En existencias

Cinta cortada

$2.15

$1.37

$0.92

$0.746

$0.668

Envase tipo carrete

$0.60

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: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm

NTMYS021N06CLTWG
onsemi
1: $2.00
1,022En existencias
3,000Se espera el 11/8/2026

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NTMYS021N06CLTWG

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863-NTMYS021N06CLTWG

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1,022En existencias

3,000Se espera el 11/8/2026

Cinta cortada

$2.00

$1.28

$0.857

$0.679

$0.646

Envase tipo carrete

$0.554

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

NTMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: $2.35
1,038En existencias

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NTMYS5D3N04CTWG

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863-NTMYS5D3N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

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1,038En existencias

Cinta cortada

$2.35

$1.49

$1.01

$0.814

$0.73

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$0.647

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

NTMYS2D4N04CTWG
onsemi
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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NTMYS2D4N04CTWG

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863-NTMYS2D4N04CTWG

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

$2.54

$1.64

$1.12

$0.892

$0.82

Envase tipo carrete

$0.771

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

138 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

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