NTMYS010N04CLTWG

onsemi
863-NTMYS010N04CLTWG
NTMYS010N04CLTWG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi NTMYS010N04CLTWG

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
38 A
10.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
7.3 nC
- 55 C
+ 175 C
28 W
Enhancement
Reel
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 33 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 43 ns
Serie: NTMYS010N04CL
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
Peso de la unidad: 75 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
Japón
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET

onsemi NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET features a small 5mm x 6mm footprint, low RDS(on), low Gate Charge (QG), and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses, while the low QG and low capacitance minimize driver losses. This single N-channel power MOSFET is Pb-free, RoHS-compliant, and features a wide, industrial-grade -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 3000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.728 $2,184.00

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.