Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1,445
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A 2,362En existencias
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: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K 1,936En existencias
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Máx.: 180
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS-DUAL 4,197En existencias
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Máx.: 280
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS 4,087En existencias
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM 4,072En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 3,292En existencias
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: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 4,091En existencias
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: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V N-Channel 6.1A MOSFET 2,091En existencias
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K 2,273En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 3,750En existencias
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: 2,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP 2,545En existencias
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Máx.: 190
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 8,405En existencias
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Máx.: 450
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A 1,383En existencias
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: 2,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single -30V P-Ch Enh FET -20Vgss 2,265En existencias
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K 10,934En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 1,498En existencias
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF 5,385En existencias
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K 6,000En existencias
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 4,906En existencias
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: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V 4,517En existencias
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Máx.: 230
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH MOSFET 15,043En existencias
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Máx.: 760
: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH MOSFET 2,967En existencias
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Mult.: 1
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN 4,035En existencias
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263 750En existencias
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Mult.: 1
: 800