Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD70R900P7SAUMA1

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726-IPD70R900P7AUMA1

Infineon Technologies

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12,477Se espera el 15/4/2027

Cinta cortada

$1.12

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$0.468

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$0.355

Envase tipo carrete

$0.285

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

6 A

740 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

6.8 nC

- 40 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.54
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IPN70R360P7SATMA1

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726-IPN70R360P7SATMA

Infineon Technologies

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14,898En pedido

Cinta cortada

$1.54

$0.728

$0.648

$0.507

Envase tipo carrete

$0.404

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

7.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.53
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IPN80R1K4P7ATMA1

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726-IPN80R1K4P7ATMA1

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$0.639

$0.50

Envase tipo carrete

$0.398

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $2.62
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IPU95R750P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R750P7AKMA1

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$2.62

$1.23

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Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.48
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IPW60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1

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$4.37

$4.02

$3.90

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.41
2,992En existencias
NRND

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IPN80R600P7ATMA1

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726-IPN80R600P7ATMA1

NRND

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$0.695

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

7.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.78
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IPA60R280P7XKSA1

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726-IPA60R280P7XKSA1

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$1.38

$1.23

$0.991

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.11
2,500Se espera el 1/4/2027

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IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,500Se espera el 1/4/2027

$2.11

$1.33

$0.871

$0.69

$0.651

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.54
1,880En pedido

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IPB60R360P7ATMA1

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726-IPB60R360P7ATMA1

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$1.24

$1.09

$0.883

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.45
1,000Se espera el 5/11/2026

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IPP60R160P7XKSA1

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726-IPP60R160P7XKSA1

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1,000Se espera el 5/11/2026

$3.45

$1.73

$1.56

$1.26

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.38
1,000Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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1,000Se espera el 19/11/2026

$2.38

$1.17

$1.05

$0.832

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.01
500Se espera el 9/9/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

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500Se espera el 9/9/2027

$2.01

$0.962

$0.86

$0.68

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 50 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $1.58
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

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IPU80R2K0P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$1.58

$0.695

$0.62

$0.514

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.56
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$3.56

$2.21

$1.62

$1.34

$1.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.99
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R750P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R750P7XKSA1

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$2.99

$1.48

$1.33

$1.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.50
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPAN80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN80R360P7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

$3.50

$1.76

$1.59

$1.28

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
1,500: $0.825
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R600P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R600P7AKMA1

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

$0.825

$0.791

$0.779

Presupuesto

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.23
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

$8.23

$4.33

$3.98

$3.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.29
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R360P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

$4.29

$2.18

$1.98

$1.65

$1.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W