Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD70R600P7SAUMA1

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Infineon Technologies

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$0.552

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$0.421

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPD80R1K4P7ATMA1

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

$1.78

$1.02

$0.751

$0.571

$0.507

Envase tipo carrete

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPD80R3K3P7ATMA1

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726-IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

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IPD80R450P7ATMA1
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$2.89

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IPD80R600P7ATMA1
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IPD80R600P7ATMA1

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Infineon Technologies
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IPD95R1K2P7ATMA1

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IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPD95R450P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
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IPL60R085P7AUMA1

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

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Ver

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SOT-223-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
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4,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

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726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

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4,613En existencias

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$0.99

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Envase tipo carrete

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Ver

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SOT-223-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

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$0.92

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Envase tipo carrete

$0.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-223-3

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1 Channel

700 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.53
975En existencias
16,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

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975En existencias

16,000En pedido

Cinta cortada

$1.53

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$0.50

Envase tipo carrete

$0.398

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.11
3,186En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R4K5P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,186En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

$1.11

$0.511

$0.453

$0.35

Envase tipo carrete

$0.281

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

3.8 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4 nC

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.52
992En existencias
63,000Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R3K7P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

992En existencias

63,000Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

$1.52

$0.843

$0.622

$0.487

$0.452

Envase tipo carrete

$0.358

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.80
358En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

358En existencias

25,000En pedido

$5.80

$3.04

$2.77

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TO-220-3

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129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.43
570En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

570En existencias

3,000En pedido

$5.43

$2.82

$2.56

$2.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

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45 nC

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+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.43
449En existencias
500Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

449En existencias

500Se espera el 5/11/2026

$4.43

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$1.68

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1 Channel

600 V

26 A

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3 V

36 nC

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+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.54
632En existencias
1,000Se espera el 8/4/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

632En existencias

1,000Se espera el 8/4/2027

$3.54

$1.77

$1.46

$1.28

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $1.22
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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1,500En existencias

$1.22

$0.53

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Ver

Min.: 1
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1.5 A

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.83
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

272En existencias

$5.83

$3.22

$2.85

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Min.: 1
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1 Channel

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26 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
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240Se espera el 27/5/2027

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IPZA60R060P7XKSA1

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726-IPZA60R060P7XKSA

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

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+ 150 C

101 W

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CoolMOS

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600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

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N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W