Low Power MOSFETs

ROHM Low Power MOSFETs feature a small VML100 package size and an extremely low dimensional tolerance. This makes these ROHM MOSFETs ideal for high-density applications such as smartphones and other portable devices.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
12,860En existencias
56,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 20 V 180 mA 2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID
Hoja de datos
8,848En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 300 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
Hoja de datos
460En existencias
32,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT DFN-0604-3 N-Channel 1 Channel 20 V 150 mA 2 Ohms - 10 V, 10 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel