Memoria RAM magnetorresistiva

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MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

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BGA-48

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TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

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TSOP-II-44

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DFN-8

SPI

4 Mbit

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3.6 V

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MR20H40

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TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

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4 Mbit

512 k x 8

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TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

512 k x 8

8 bit

35 ns

3 V

3.6 V

30 mA, 90 mA

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BGA-48

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

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BGA-48

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

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- 40 C

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Reel

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MR2A16ACYS35R
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TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

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3.6 V

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- 40 C

+ 85 C

MR2A16A

Reel

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MR2A16AMA35
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BGA-48

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

16 bit

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3.6 V

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MR2A16A

Tray

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MR2A16AMA35R
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MR2A16AMA35R

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BGA-48

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

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3.6 V

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MR2A16A

Reel

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MR2A16AVMA35
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MR2A16AVMA35

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936-MR2A16AVMA35

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BGA-48

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

16 bit

35 ns

3 V

3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 105 C

MR2A16A

Tray

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR2A16AVMA35R
Everspin Technologies
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MR2A16AVMA35R

N.º de artículo de Mouser
936-MR2A16AVMA35R

Everspin Technologies

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BGA-48

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

16 bit

35 ns

3 V

3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 105 C

MR2A16A

Reel

Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva

MR2A16AVYS35R
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MR2A16AVYS35R

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936-MR2A16AVYS35R

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Mult.: 1,500

: 1,500

TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

16 bit

35 ns

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3.6 V

55 mA, 105 mA

- 40 C

+ 105 C

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Reel

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MR2A16AYS35R
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MR2A16AYS35R

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TSOP-II-44

Parallel

4 Mbit

256 k x 16

16 bit

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3.6 V

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MR2A16A

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MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

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