Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 20

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $1.73 46,125En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ40S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	46,125En existencias	Cinta cortada $1.73 $0.819 $0.73 $0.575 $0.524 Envase tipo carrete $0.50	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	9.1 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	83 nC		+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba 1: $4.44 40,156En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ200F04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ200F04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	40,156En existencias	Cinta cortada $4.44 $2.27 $2.06 $1.75 Envase tipo carrete $1.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-220SM-3	P-Channel	1 Channel	40 V	200 A	1.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	460 nC		+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba 1: $1.44 43,787En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ8S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	43,787En existencias	Cinta cortada $1.44 $0.674 $0.599 $0.468 Envase tipo carrete $0.402 Ver $0.46 $0.356 $0.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	8 A	104 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	19 nC		+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $1.44 17,713En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ10S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ10S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	17,713En existencias	Cinta cortada $1.44 $0.674 $0.599 $0.468 Envase tipo carrete $0.389 Ver $0.46 $0.356 $0.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	10 A	44 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	19 nC		+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $2.34 4,019En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ80S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	4,019En existencias	Cinta cortada $2.34 $1.14 $1.02 $0.813 Envase tipo carrete $0.69 Ver $0.758 $0.689 $0.681	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	80 A	5.2 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	158 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba 1: $2.62 23,422En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH3R114MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH3R114MC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	23,422En existencias	Cinta cortada $2.62 $1.31 $1.15 $0.939 Ver Envase tipo carrete $0.765 $0.884 $0.859 $0.765 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	P-Channel	1 Channel	40 V	100 A	3.1 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	230 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba 1: $2.34 3,273En existencias 6,000Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ60S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3,273En existencias 6,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada $2.34 $1.14 $1.02 $0.813 Envase tipo carrete $0.759 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	60 A	11.2 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	156 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ90S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $2.58 3,634En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ90S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ90S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3,634En existencias	Cinta cortada $2.58 $1.30 $1.13 $0.927 Envase tipo carrete $0.783 Ver $0.872 $0.753	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	90 A	4.3 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	172 nC		+ 175 C	180 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba 1: $1.96 3,361En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPH4R714MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPH4R714MC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3,361En existencias	Cinta cortada $1.96 $1.27 $0.872 $0.711 Ver Envase tipo carrete $0.598 $0.632 $0.611 $0.598 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SOP-Advance-8	P-Channel	1 Channel	40 V	60 A	4.7 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba 1: $1.74 3,851En existencias	N.º de artículo del Fabricante XPN9R614MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN9R614MC,L1XHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	3,851En existencias	Cinta cortada $1.74 $0.82 $0.731 $0.574 Ver Envase tipo carrete $0.415 $0.551 $0.508 $0.415 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-Advance-8	P-Channel	1 Channel	40 V	40 A	9.6 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	64 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F SSM6J808R,LXHF Toshiba 1: $1.25 4,439En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6J808R,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J808RLXHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	4,439En existencias	Cinta cortada $1.25 $0.583 $0.517 $0.401 Envase tipo carrete $0.315 Ver $0.39 $0.31 $0.289 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP6F	P-Channel	1 Channel	40 V	7 A	48 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	24.2 nC		+ 150 C	1.5 W		AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba 1: $1.66 2,912En existencias 4,000Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ15S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ15S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	2,912En existencias 4,000Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada $1.66 $0.783 $0.697 $0.546 Envase tipo carrete $0.43 Ver $0.531 $0.395 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	15 A	50 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	36 nC		+ 175 C	41 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $1.55 700En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante TJ20S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	700En existencias 6,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: TJ20S04M3L,LXHQ Existencias: 700 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 16/11/2026 4,000 Se espera el 11/1/2027 Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	Cinta cortada $1.55 $0.981 $0.652 $0.511 Envase tipo carrete $0.426 Ver $0.465 $0.388	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	20 A	22.2 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	37 nC		+ 175 C	41 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ30S06M3L,LXHQ Toshiba 1: $1.99 322En existencias 2,000Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ30S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ30S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	322En existencias 2,000Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada $1.99 $0.954 $0.853 $0.675 Envase tipo carrete $0.569 Ver $0.657 $0.552	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	30 A	21.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	80 nC		+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ50S06M3L,LXHQ Toshiba 1: $2.23 914En existencias 8,000Se espera el 15/2/2027	N.º de artículo del Fabricante TJ50S06M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ50S06M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	914En existencias 8,000Se espera el 15/2/2027	Cinta cortada $2.23 $1.10 $0.957 $0.768 Envase tipo carrete $0.646 Ver $0.701 $0.611	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	60 V	50 A	13.8 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	124 nC		+ 175 C	90 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba 1: $2.10 594En existencias	N.º de artículo del Fabricante TJ60S04M3L,LXHQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3L,LXHQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	594En existencias	Cinta cortada $2.10 $1.01 $0.902 $0.716 Envase tipo carrete $0.604 Ver $0.684 $0.583	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	60 A	6.3 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	125 nC		+ 175 C	90 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60 V 27.3mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF) XPN27016MC,L1XHQ Toshiba 1: $1.74 5,000Se espera el 5/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XPN27016MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN27016MCL1XHQ Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60 V 27.3mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	5,000Se espera el 5/10/2026	Cinta cortada $1.74 $1.08 $0.707 $0.556 Envase tipo carrete $0.372 Ver $0.475 $0.439 $0.369 $0.324 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	P-Channel	1 Channel	60 V	25 A	27.3 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	71 nC		+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60 V 52mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF) XPN52016MC,L1XHQ Toshiba 1: $1.87 5,000Se espera el 13/1/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XPN52016MC,L1XHQ N.º de artículo de Mouser 757-XPN52016MCL1XHQ Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60 V 52mOhm P-ch MOSFET AEC-Q TSON Advance(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	5,000Se espera el 13/1/2027	Cinta cortada $1.87 $0.891 $0.796 $0.628 Envase tipo carrete $0.479 Ver $0.606 $0.578 $0.435 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	P-Channel	1 Channel	60 V	15 A	52 mOhms	- 20 V, 10 V	2.1 V	47 nC		+ 175 C	65 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohm@10V, DFN2020B(WF) XSM6J372NW,LXHF Toshiba 1: $0.38 54,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante XSM6J372NW,LXHF N.º de artículo de Mouser 757-XSM6J372NWLXHF Nuevo producto	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohm@10V, DFN2020B(WF) Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	54,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: XSM6J372NW,LXHF Existencias: 0 En pedido: 36,000 Se espera el 16/10/2026 3,000 Se espera el 19/10/2026 15,000 Se espera el 26/2/2027 Plazo de entrega de fábrica: 24 Semanas	Cinta cortada $0.38 $0.235 $0.148 $0.11 Envase tipo carrete $0.081 Ver $0.097 $0.073 $0.062 $0.059	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	DFN2020B-6	P-Channel	1 Channel	30 V	24 A	144 mOhms	- 12 V, 6 V	1.2 V	8.2 nC		+ 150 C	3.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723 SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba 1: $0.36 7,483En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3J66MFV,L3XHF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J66MFVL3XHF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723 Obtenga más información sobre Toshiba automotive u mosvi	Hoja de datos	7,483En pedido	Cinta cortada $0.36 $0.159 $0.139 $0.103 Envase tipo carrete $0.057 Ver $0.098 $0.066 $0.054 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8,000	Si	SMD/SMT	VESM-3	P-Channel	1 Channel	20 V	800 mA	480 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	1.6 nC		+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel