MOSFETs de SiC – Mouser Honduras

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SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

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Id - Corriente de drenaje continua

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación
	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: $20.23 226En existencias 600Se espera el 23/7/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT020W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	226En existencias 600Se espera el 23/7/2027	$20.23 $12.18	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: $13.80 52En existencias 1,200Se espera el 29/1/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT070W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Hoja de datos	52En existencias 1,200Se espera el 29/1/2027	$13.80 $9.22 $8.67 $7.78 $7.31	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: $14.67 599Se espera el 14/12/2026	N.º de artículo del Fabricante SCT070HU120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Hoja de datos	599Se espera el 14/12/2026	Cinta cortada $14.67 $10.07 $8.87 Envase tipo carrete $8.00	Min.: 1 Mult.: 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: $13.53 Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas	N.º de artículo del Fabricante SCT070H120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas	Cinta cortada $13.53 $7.86 $7.77 $7.53 Envase tipo carrete $6.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: $12.61 Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas	N.º de artículo del Fabricante SCT070W120G3-4 N.º de artículo de Mouser 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas	$12.61 $8.20 $7.18 $6.01	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement