Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN

TK099V65Z,LQ
Toshiba
1: $6.49
7,252En existencias

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TK099V65Z,LQ

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757-TK099V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN

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Cinta cortada

$6.49

$4.35

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247

TK090N65Z,S1F
Toshiba
1: $8.39
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TK090N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK090N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247

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$8.39

$4.40

Envase tipo carrete

$4.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

TK090U65Z,RQ
Toshiba
1: $7.94
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TK090U65Z,RQ

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757-TK090U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

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Cinta cortada

$7.94

$5.40

$4.16

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ

TK10P50W,RQ
Toshiba
1: $3.06
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TK10P50W,RQ

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757-TK10P50WRQ

Toshiba

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$3.06

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$1.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

9.7 A

430 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

TK190U65Z,RQ
Toshiba
1: $4.20
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TK190U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK190U65ZRQ

Toshiba

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$4.20

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$2.21

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$2.21

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

149 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

TK110U65Z,RQ
Toshiba
1: $5.83
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TK110U65Z,RQ

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757-TK110U65ZRQ

Toshiba

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$3.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

86 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK090A65Z,S4X
Toshiba
1: $7.63
243En existencias

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TK090A65Z,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK090A65ZS4X

Toshiba

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$7.63

$4.94

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ

TK095N65Z5,S1F
Toshiba
1: $7.43
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK095N65Z5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK095N65Z5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=230W F=1MHZ

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$7.43

$4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

50 nC

+ 150 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ

TK10E80W,S1X
Toshiba
1: $4.32
90En existencias

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TK10E80W,S1X

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757-TK10E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ

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$4.32

$2.30

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9.5 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V

TK040N65Z,S1F
Toshiba
1: $12.49
2,617Se espera el 14/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK040N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V

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2,617Se espera el 14/8/2026

$12.49

$9.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

57 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

TK065U65Z,RQ
Toshiba
1: $7.61
4,000Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK065U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK065U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

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4,000Se espera el 16/11/2026

Cinta cortada

$7.61

$5.15

$4.93

Envase tipo carrete

$4.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247

TK065N65Z,S1F
Toshiba
1: $8.86
308En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK065N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK065N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247

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308En pedido

Cinta cortada

$8.86

$6.03

Envase tipo carrete

$6.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110N65Z,S1F
Toshiba
1: $6.74
59Se espera el 18/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK110N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK110N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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59Se espera el 18/12/2026

$6.74

$4.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ

TK090Z65Z,S1F
Toshiba
1: $10.96
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK090Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK090Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

$10.96

$6.66

$5.62

$5.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T)

TK040Z65Z,S1F
Toshiba
1: $15.56
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK040Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T)

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

$15.56

$9.72

Envase tipo carrete

$9.72

$8.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 25

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

57 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

TK155U65Z,RQ
Toshiba
2,000: $2.58
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK155U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK155U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

$2.58

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

122 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel

DTMOSVI MOSFETs

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