Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
1,769En existencias
Cinta cortada
$2.92
$1.45
$1.30
$1.05
$0.987
Envase tipo carrete
$0.933
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1,735En existencias
$10.49
$8.19
$7.62
$6.99
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Min.: 1
Mult.: 1
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
190En existencias
2,000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
$2.08
$1.01
$0.897
$0.711
$0.679
Envase tipo carrete
$0.586
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
332En existencias
6,000En pedido
Cinta cortada
$3.15
$1.57
$1.42
$1.14
$1.10
Envase tipo carrete
$1.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
11,120En pedido
Cinta cortada
$0.82
$0.507
$0.327
$0.249
Envase tipo carrete
$0.192
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
3,996Se espera el 16/10/2026
Cinta cortada
$3.15
$1.57
$1.41
$1.14
$1.10
Envase tipo carrete
$1.03
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
Cinta cortada
$0.75
$0.338
$0.297
$0.226
Envase tipo carrete
$0.225
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Envase tipo carrete
$0.528
$0.526
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000