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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK65S04N1L,LQ
- Toshiba
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1:
$2.92
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1,769En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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1,769En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
- TB9057FG
- Toshiba
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1:
$10.49
-
1,735En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9057FG
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Toshiba
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
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1,735En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
- TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$2.08
-
190En existencias
-
2,000Se espera el 13/11/2026
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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190En existencias
2,000Se espera el 13/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
- TJ60S06M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$3.15
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332En existencias
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6,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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332En existencias
6,000En pedido
Existencias:
332 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 13/11/2026
4,000 Se espera el 15/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
- SSM3K337R,LF
- Toshiba
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1:
$0.82
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11,120En pedido
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N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
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11,120En pedido
En pedido:
5,120 Se espera el 5/10/2026
6,000 Se espera el 12/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK90S06N1L,LQ
- Toshiba
-
1:
$3.15
-
3,996Se espera el 16/10/2026
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N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1LLQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
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3,996Se espera el 16/10/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
- SSM3H137TU,LF
- Toshiba
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1:
$0.75
-
No en existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
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No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
- TJ80S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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2,000:
$0.528
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
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