Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

SSM6N57NU,LF
Toshiba
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SSM6N57NU,LF

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757-SSM6N57NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

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N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package

SSM6P69NU,LF
Toshiba
1: $0.78
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SSM6P69NU,LF

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757-SSM6P69NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package

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SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

157 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

6.74 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.86
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ

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757-TJ50S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

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$2.86

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK+ PD=180W F=1MHZ

TJ90S04M3L,LQ
Toshiba
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TJ90S04M3L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK+ PD=180W F=1MHZ

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

1 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

TPCP8107,LF
Toshiba
1: $1.18
13,211En existencias

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TPCP8107,LF

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757-TPCP8107LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

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SMD/SMT

PS-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

44.6 nC

- 55 C

+ 175 C

2.01 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPH1R712MD,L1Q
Toshiba
1: $2.57
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20,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R712MD,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R712MDL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

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: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

1.7 mOhms

12 V

500 mV

182 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package

SSM3J135TU,LF
Toshiba
1: $0.57
2,681En existencias
3,000Se espera el 11/9/2026

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SSM3J135TU,LF

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757-SSM3J135TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-3.0A, RDS(ON)=0.103Ohm @ 4.5V, in UFM package

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$0.128

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

103 mOhms

8 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

SSM3J356R,LXHF
Toshiba
1: $0.65
7,149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

360 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

SSM3J375F,LXHF
Toshiba
1: $0.51
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3,000Se espera el 16/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J375F,LXHF

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757-SSM3J375FLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

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: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

SSM6J212FE,LF
Toshiba
1: $0.82
8,059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J212FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J212FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

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$0.82

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$0.19

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: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

94 mOhms

8 V

1 V

14.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba
1: $0.61
2,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J215FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J215FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

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: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.4 A

154 mOhms

8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

SSM6J216FE,LF
Toshiba
1: $0.72
2,154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J216FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J216FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

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$0.72

$0.327

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: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4.8 A

26 mOhms

8 V

1 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V

SSM3J130TU,LF
Toshiba
1: $0.87
4,068En existencias
12,000Se espera el 9/11/2026

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SSM3J130TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J130TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V

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$0.87

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$0.264

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$0.203

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

25.8 mOhms

8 V

1 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

SSM3J132TU,LF
Toshiba
1: $0.94
5,754En existencias
6,000Se espera el 21/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J132TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J132TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

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6,000Se espera el 21/9/2026

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$0.94

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$0.377

$0.289

Envase tipo carrete

$0.223

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5.4 A

14 mOhms

6 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

SSM3J140TU,LF
Toshiba
1: $0.83
1,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J140TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J140TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

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: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

25.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

24.8 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

SSM3J143TU,LF
Toshiba
1: $0.66
3,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J143TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J143TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

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3,950En existencias

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$0.66

$0.295

$0.26

$0.196

Envase tipo carrete

$0.149

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.5 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A

SSM3J145TU,LF
Toshiba
1: $0.57
2,654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J145TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J145TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A

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$0.57

$0.257

$0.225

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

103 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3J327R,LF
Toshiba
1: $0.38
3,282En existencias
3,000Se espera el 4/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J327R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J327RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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3,282En existencias

3,000Se espera el 4/9/2026

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Envase tipo carrete

$0.097

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

8 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

SSM3J353F,LF
Toshiba
1: $0.45
3,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J353F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J353FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

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3,790En existencias

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$0.129

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$0.096

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

125 mOhms

20 V

2.2 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A

SSM3J371R,LF
Toshiba
1: $0.44
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3,000Se espera el 21/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J371R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J371RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

55 mOhms

- 8 V, 6 V

300 mV

10.4 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

SSM3J372R,LXHF
Toshiba
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SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A

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SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4 A

71 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

5.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

SSM3J375F,LF
Toshiba
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P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

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AEC-Q101

U-MOSVI

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SSM3J377R,LF
Toshiba
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SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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SSM3J377R,LXHF
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P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

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AEC-Q101

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

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Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W