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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
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IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
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281En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
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639En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds
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244En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
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625En existencias
480Se espera el 30/11/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
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284En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
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260En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
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495En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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149En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
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283En existencias
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IXYS IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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303En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
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1,197En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
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1,295En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
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482En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
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238En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
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4,046En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
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213En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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354En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds
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3,125En existencias
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IXYS IGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT
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437En existencias
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IXYS Rectificadores 120 Amps 400V
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85En existencias
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IXYS Rectificadores 1000V 30A
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1,729En existencias
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IXYS Rectificadores 600V 2X60A
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209En existencias
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IXYS Rectificadores 45 Amps 1600V
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212En existencias
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IXYS Rectificadores
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41En existencias
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