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NVMFS5C410NET3G

Name: onsemi NVMFS5C410NET3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C410NET3G
Price: 2.41 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

863-NVMFS5C410NET3G

Fabricante N.º:

NVMFS5C410NET3G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.92 MOHMS SL

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

NVMFS5C410NET3G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	300 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	920 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	86 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	166 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	173 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	190 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	162 ns
Serie:	NVMFS5C410N
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	227 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	54 ns

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PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Estados Unidos

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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NVMFS5C410NET3G

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.92 MOHMS SL

Especificaciones

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Cumplimiento de productos y comercio

PRODUCTOS DESTACADOS ONSEMI

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Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.92 MOHMS SL

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