STF12N50M2

STMicroelectronics
511-STF12N50M2
STF12N50M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
10 A
325 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 34.5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 10.5 ns
Serie: STF12N50M2
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 8 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 13.5 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDmesh™ II Power MOSFETs

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En existencias: 113

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 113 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
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