PXAD184218FV-V1-R2

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Mouser N.º:

941-PXAD184218FV1R2

Fabricante N.º:

PXAD184218FV-V1-R2

Fabricante:

MACOM

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	Dual N-Channel
Tecnología:	Si
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Frecuencia de trabajo:	1.805 GHz to 1.88 GHz
Ganancia:	16 dB
Potencia de salida:	420 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H-37275G-6/2
Empaquetado:	Reel
Marca:	MACOM
Número de canales:	2 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V