|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$19.72
-
174En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH63N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
|
|
174En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ACEPACK SMIT-9
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD54008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.56
-
1,523En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
1,523En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57030-E
- STMicroelectronics
-
1:
$43.91
-
480En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
480En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD54008L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.55
-
3,301En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
3,301En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT (5x5)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$4.11
-
10,607En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
10,607En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
NPN
|
|
|
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
- STE145N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$33.17
-
760En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
|
|
760En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
ISOTOP
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH
- STN1NK80Z
- STMicroelectronics
-
1:
$2.04
-
37,915En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STN1NK80Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH
|
|
37,915En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
- STP20NM60FD
- STMicroelectronics
-
1:
$6.05
-
4,235En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
|
|
4,235En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
2,335En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,335En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD80N450K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.42
-
765En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N450K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
765En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
- STB18NF30
- STMicroelectronics
-
1:
$3.48
-
1,388En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB18NF30
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
|
|
1,388En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
- STD10N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.73
-
9,390En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
|
|
9,390En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
- STD2N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.05
-
3,165En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
|
|
3,165En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
- STD3NK60ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.09
-
3,825En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
|
|
3,825En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
- STD4N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
3,504En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
3,504En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- STF11NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$7.79
-
850En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
|
|
850En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
- STF18NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$9.06
-
1,001En existencias
-
1,000Se espera el 4/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
|
|
1,001En existencias
1,000Se espera el 4/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF3LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.21
-
3,063En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
3,063En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs PowerMESH TM IGBT
- STGB6NC60HDT4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.62
-
6,920En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGB6NC60HDT4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs PowerMESH TM IGBT
|
|
6,920En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
IGBTs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
- STGF7H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$2.08
-
4,858En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
|
|
4,858En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
- STGIPN3H60A
- STMicroelectronics
-
1:
$9.12
-
466En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPN3H60A
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
|
|
466En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
NDIP-26
|
|
|
|
|
IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
- STGW40H60DLFB
- STMicroelectronics
-
1:
$6.59
-
596En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW40H60DLFB
|
STMicroelectronics
|
IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
|
|
596En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
- STGW75H65DFB2-4
- STMicroelectronics
-
1:
$6.87
-
591En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75H65DFB2-4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
|
|
591En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
- STGW75M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$7.92
-
624En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
|
|
624En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
- STH240N10F7-2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.29
-
905En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
|
|
905En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|