|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
- 2SC5200-O(Q)
- Toshiba
-
1:
$4.61
-
23,969En existencias
-
1,700Se espera el 2/11/2026
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SC5200-O(Q)
NRND
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
|
|
23,969En existencias
1,700Se espera el 2/11/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 30 Amp 1200 Volt
- BTW68-1200RG
- STMicroelectronics
-
1:
$6.65
-
2,028En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-BTW68-1200
|
STMicroelectronics
|
SCR 30 Amp 1200 Volt
|
|
2,028En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 40 Amp 600 Volt
- BTW69-600RG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.15
-
1,249En existencias
-
1,800Se espera el 11/1/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-BTW69-600
|
STMicroelectronics
|
SCR 40 Amp 600 Volt
|
|
1,249En existencias
1,800Se espera el 11/1/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- IXFQ20N50P3
- IXYS
-
1:
$8.13
-
617En existencias
-
1,055Se espera el 9/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ20N50P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
|
|
617En existencias
1,055Se espera el 9/11/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
- IXTQ170N10P
- IXYS
-
1:
$15.03
-
776En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ170N10P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
|
|
776En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
- IXTQ88N30P
- IXYS
-
1:
$16.10
-
228En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ88N30P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
|
|
228En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SA1943N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
$3.99
-
5,363En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SA1943N(S1ES)
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
5,363En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
- NJW0281G
- onsemi
-
1:
$4.64
-
3,488En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW0281G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
|
|
3,488En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
- NJW0302G
- onsemi
-
1:
$4.68
-
2,551En existencias
-
630Se espera el 16/4/2027
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW0302G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
|
|
2,551En existencias
630Se espera el 16/4/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP
- NJW1302G
- onsemi
-
1:
$6.03
-
5,854En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW1302G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP
|
|
5,854En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO
- NJW3281G
- onsemi
-
1:
$5.77
-
2,443En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NJW3281G
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO
|
|
2,443En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A
- 2SA1943-O(Q)
- Toshiba
-
1:
$5.29
-
1,837En existencias
-
5,800En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SA1943-O(Q)
NRND
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A
|
|
1,837En existencias
5,800En pedido
Existencias:
1,837 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,400 Pendiente
3,400 Se espera el 9/11/2026
1,000 Se espera el 13/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SA1943-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
$4.56
-
355En existencias
-
700Se espera el 15/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SA1943-OS1F
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
355En existencias
700Se espera el 15/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
IGBTs 600V/30A DIS
- GT30J121(Q)
- Toshiba
-
1:
$4.63
-
129En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-GT30J121(Q)
|
Toshiba
|
IGBTs 600V/30A DIS
|
|
129En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
- STGWT40HP65FB
- STMicroelectronics
-
1:
$3.53
-
661En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWT40HP65FB
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
|
|
661En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
- IXFQ72N30X3
- IXYS
-
1:
$13.67
-
4En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ72N30X3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
|
|
4En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
- IXTQ110N10P
- IXYS
-
1:
$10.23
-
69En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ110N10P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
|
|
69En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
- IXTQ14N60P
- IXYS
-
1:
$7.27
-
219En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ14N60P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
|
|
219En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
- IXTQ22N60P
- IXYS
-
1:
$9.97
-
34En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ22N60P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
|
|
34En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
- IXTQ26N50P
- IXYS
-
1:
$9.97
-
262En existencias
-
300Se espera el 16/8/2027
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ26N50P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
|
|
262En existencias
300Se espera el 16/8/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
- IXTQ36N30P
- IXYS
-
1:
$7.48
-
230En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ36N30P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
|
|
230En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
- IXTQ460P2
- IXYS
-
1:
$8.71
-
115En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ460P2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
|
|
115En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
- IXTQ50N20P
- IXYS
-
1:
$7.84
-
354En existencias
-
450Se espera el 16/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ50N20P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
|
|
354En existencias
450Se espera el 16/11/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
- IXTQ52P10P
- IXYS
-
1:
$10.86
-
3En existencias
-
300Se espera el 29/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ52P10P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
|
|
3En existencias
300Se espera el 29/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds
- IXTQ75N10P
- IXYS
-
1:
$7.48
-
128En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ75N10P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds
|
|
128En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|