CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

Tipos de Transistores

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Resultados: 28
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 724En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 2,226En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 2,854En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 436En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 1,514En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 1,670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 9En existencias
240Se espera el 29/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 195En existencias
480Se espera el 3/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 531En existencias
2,000Se espera el 1/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 750
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V 72En existencias
3,750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 96En existencias
750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 336En existencias
750Se espera el 6/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 121En existencias
240Se espera el 8/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 138En existencias
720En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 16En existencias
240Se espera el 26/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
3,500Se espera el 24/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
5,973En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
1,028Se espera el 15/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
2,000Se espera el 1/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
452Se espera el 3/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel