MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

Resultados: 21
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
454En existencias
$18.67
$10.77
$10.76
$10.00
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 23 mOhms 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
894En existencias
$11.53
$6.45
$5.96
$5.88
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
68En existencias
3,000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
$8.34
$4.52
$4.15
$4.06
Envase tipo carrete
$3.79
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 35 mOhms 30 V 4.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
201En existencias
Cinta cortada
$6.93
$4.64
$3.73
$3.32
$3.14
Envase tipo carrete
$2.93
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Hoja de datos
266En existencias
$8.93
$4.76
$4.38
$4.20
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 35 mOhms 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
2,774En existencias
Cinta cortada
$8.54
$4.74
$4.36
$4.24
$3.79
Envase tipo carrete
$3.79
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
994En existencias
Cinta cortada
$9.63
$5.30
$4.91
Envase tipo carrete
$4.64
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 50 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
150En existencias
Cinta cortada
$7.05
$3.76
$3.44
$3.25
$3.17
Envase tipo carrete
$3.07
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
237En existencias
$15.66
$8.86
$8.60
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 95 A 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
49En existencias
$12.95
$7.34
$6.80
$6.67
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
34En existencias
1,000En pedido
Cinta cortada
$5.78
$3.03
$2.76
$2.49
Envase tipo carrete
$2.15
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 250 V 56 A 18 mOhms 30 V 4.2 V 85 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
303En existencias
Cinta cortada
$3.91
$1.98
$1.79
$1.47
Envase tipo carrete
$1.38
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 160 mOhms 30 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
312En existencias
1,000Se espera el 29/1/2027
$8.81
$4.80
$4.42
$4.13
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 45 mOhms 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
1En existencias
1,200Se espera el 13/8/2027
$10.21
$6.01
$5.26
$4.94
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
1,801En pedido
Cinta cortada
$6.77
$4.27
$3.36
$3.08
Envase tipo carrete
$2.61
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 29/1/2027
Cinta cortada
$9.78
$6.69
Envase tipo carrete
$6.69
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 600
Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 46 mOhms 30 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Hoja de datos
1,200Se espera el 29/1/2027
Cinta cortada
$10.32
$6.46
$5.61
Envase tipo carrete
$4.97
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STO60N030M9
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package
Hoja de datos
1,800En pedido
Cinta cortada
$15.27
$8.96
$7.32
Envase tipo carrete
$7.32
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STO60N045DM9
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package
Hoja de datos
1,800Se espera el 16/10/2026
Cinta cortada
$12.70
$7.17
$7.05
$5.76
Envase tipo carrete
$5.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
497Se espera el 29/1/2027
$4.17
$2.12
$1.92
$1.58
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms 30 V 3.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega 26 Semanas
$10.43
$5.71
$5.26
$4.95
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube