Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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MOSFET de potencia RQ3xFRATCB
Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB de ROHM SemiconModule son MOSFET de grado automotriz con calificación AEC-Q101. Estos MOSFET cuentan con un rango de voltaje de drenaje a fuente de -40 V a 100 V, 8 terminales, disipación de potencia de hasta 69 W y corriente de drenaje continua de ±12 A a ±27 A. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB están disponibles en canal N y canal P. Estos MOSFET de potencia se incluyen en un paquete compacto HSMT8AG de 3.3 mm x 3.3 mm. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB son ideales para sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS), infoentretenimiento, iluminación y cuerpo.