|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
- STD3N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$1.66
-
7,700En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
|
|
7,700En existencias
|
|
|
$1.66
|
|
|
$0.915
|
|
|
$0.655
|
|
|
$0.545
|
|
|
$0.442
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.495
|
|
|
$0.438
|
|
|
$0.429
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i
- STD45P4LLF6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.32
-
2,432En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD45P4LLF6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i
|
|
2,432En existencias
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.994
|
|
|
$0.806
|
|
|
$0.624
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.743
|
|
|
$0.622
|
|
|
$0.618
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
- STD5NK40ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.28
-
3,465En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD5NK40Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
|
|
3,465En existencias
|
|
|
$2.28
|
|
|
$1.46
|
|
|
$0.989
|
|
|
$0.787
|
|
|
$0.723
|
|
|
$0.655
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
- STD7LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.88
-
2,652En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD7LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,652En existencias
|
|
|
$2.88
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.836
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.965
|
|
|
$0.788
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
- STD7N52K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.27
-
4,759En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
|
|
4,759En existencias
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.786
|
|
|
$0.642
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.705
|
|
|
$0.641
|
|
|
$0.625
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
- STD95N4F3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.41
-
2,953En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD95N4F3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
|
|
2,953En existencias
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.839
|
|
|
$0.804
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.804
|
|
|
$0.711
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración iNEMO inertial module kit based on ISM330DHCX
- STEVAL-MKI210V2K
- STMicroelectronics
-
1:
$32.38
-
158En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STEVAL-MKI210V2K
|
STMicroelectronics
|
Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración iNEMO inertial module kit based on ISM330DHCX
|
|
158En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
- STF20N95K5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.84
-
2,621En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF20N95K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
|
|
2,621En existencias
|
|
|
$6.84
|
|
|
$3.56
|
|
|
$3.30
|
|
|
$2.91
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.70
|
|
|
$2.64
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
- STF21N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.71
-
1,723En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF21N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
|
|
1,723En existencias
|
|
|
$7.71
|
|
|
$4.49
|
|
|
$4.13
|
|
|
$3.59
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.42
|
|
|
$3.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
- STF25N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.78
-
884En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF25N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
|
|
884En existencias
|
|
|
$6.78
|
|
|
$3.60
|
|
|
$3.30
|
|
|
$2.88
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.57
|
|
|
$2.50
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
- STF26NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$8.81
-
1,783En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
|
|
1,783En existencias
|
|
|
$8.81
|
|
|
$4.80
|
|
|
$4.41
|
|
|
$4.11
|
|
|
$4.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
- STF3NK100Z
- STMicroelectronics
-
1:
$5.17
-
1,801En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF3NK100Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
|
|
1,801En existencias
|
|
|
$5.17
|
|
|
$2.68
|
|
|
$2.44
|
|
|
$2.02
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.73
|
|
|
$1.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
- STGD3NB60SDT4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.48
-
7,090En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD3NB60SD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
|
|
7,090En existencias
|
|
|
$1.48
|
|
|
$0.936
|
|
|
$0.621
|
|
|
$0.486
|
|
|
$0.394
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.442
|
|
|
$0.392
|
|
|
$0.323
|
|
|
$0.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
- STGP19NC60HD
- STMicroelectronics
-
1:
$2.77
-
2,080En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP19NC60HD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
|
|
2,080En existencias
|
|
|
$2.77
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.37
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
- STGP3HF60HD
- STMicroelectronics
-
1:
$1.37
-
5,680En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP3HF60HD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
|
|
5,680En existencias
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.641
|
|
|
$0.569
|
|
|
$0.444
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.369
|
|
|
$0.368
|
|
|
$0.331
|
|
|
$0.309
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
- STGYA120M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$10.64
-
361En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA120M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
|
|
361En existencias
|
|
|
$10.64
|
|
|
$5.85
|
|
|
$4.65
|
|
|
$4.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
- STIEC45-24AS
- STMicroelectronics
-
1:
$3.51
-
1,570En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STIEC45-24AS
|
STMicroelectronics
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
|
|
1,570En existencias
|
|
|
$3.51
|
|
|
$2.28
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
- STL140N4F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.23
-
5,617En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL140N4F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
|
|
5,617En existencias
|
|
|
$2.23
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.966
|
|
|
$0.769
|
|
|
$0.624
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.705
|
|
|
$0.583
|
|
|
$0.556
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
- STL140N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$3.22
-
3,071En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL140N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
|
|
3,071En existencias
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
- STL18N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.44
-
3,706En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
|
|
3,706En existencias
|
|
|
$3.44
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.04
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.985
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
- STL210N4LF7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.15
-
3,312En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL210N4LF7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
|
|
3,312En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.03
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.893
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
- STL24N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.07
-
6,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
|
|
6,000En existencias
|
|
|
$4.07
|
|
|
$2.67
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
- STL7N6LF3
- STMicroelectronics
-
1:
$1.94
-
4,232En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL7N6LF3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
|
|
4,232En existencias
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.805
|
|
|
$0.655
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.509
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Reguladores de tensión LDO 150 mA - ultra low quiescent current linear voltage regulator
- STLQ015M21R
- STMicroelectronics
-
1:
$0.51
-
8,938En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STLQ015M21R
|
STMicroelectronics
|
Reguladores de tensión LDO 150 mA - ultra low quiescent current linear voltage regulator
|
|
8,938En existencias
|
|
|
$0.51
|
|
|
$0.359
|
|
|
$0.321
|
|
|
$0.279
|
|
|
$0.202
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.259
|
|
|
$0.247
|
|
|
$0.237
|
|
|
$0.197
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Circuitos de supervisión 4.37VRST Active Low Push-Pull Reset
- STM1810MWX7F
- STMicroelectronics
-
1:
$0.99
-
4,025En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STM1810MWX7F
|
STMicroelectronics
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Circuitos de supervisión 4.37VRST Active Low Push-Pull Reset
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4,025En existencias
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$0.99
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Min.: 1
Mult.: 1
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3,000
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