AFT27S006N-1000M

Name: NXP AFT27S006N-1000M
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-AFT27S006N1000M
Price: 1037.59 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

771-AFT27S006N1000M

Fabricante N.º:

AFT27S006N-1000M

Fabricante:

NXP Semiconductors

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Frecuencia de trabajo:	728 MHz to 3.7 GHz
Ganancia:	16 dB
Potencia de salida:	28.8 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PLD-1.5W
Marca:	NXP Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFT27S006N
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Alias de las piezas n.º:	935412238598