Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

Resultados: 10
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V
Hoja de datos
1,861En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
2,710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO2
Hoja de datos
513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1
Hoja de datos
81En existencias
450Se espera el 23/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 329 nC - 55 C + 175 C 686 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1
Hoja de datos
1,229En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1
Hoja de datos
213En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 139 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
Hoja de datos
205En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC