4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

Resultados: 17
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC 833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC 515En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC 583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC 683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC 670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 321En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC 814En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC 620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC 332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC 259En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 1,156En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC 2,020En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 1,996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC 1,488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 105A N-CH SIC 5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement