Bulk Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N CHAN 700V 47A
Hoja de datos
3,339En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 700 V 47 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 266 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement TrenchFET Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
7,428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm
Hoja de datos
11,933En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V 6Ohm
Hoja de datos
1,320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 120 V 230 mA 6 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm
Hoja de datos
3,096En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 3 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
2,781En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
854En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 240V 1.25Ohm
Hoja de datos
683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 240 V 540 mA 1.25 Ohms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
Hoja de datos
8,741En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
Hoja de datos
440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.8 V 85 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 2.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
8,781En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 8.8A
Hoja de datos
8,487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
2,405En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 6 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-220
Hoja de datos
914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
3,172En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,367En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 60V 5.1A
Hoja de datos
7,839En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
Hoja de datos
7,810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
Hoja de datos
5,539En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
1,429En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
4,682En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 10.5 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Bulk

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
522En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 98 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 103 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk