SC-89-3 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA 3,765En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SC-89-3 N-Channel 1 Channel 50 V 350 mA 2.5 Ohms 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 223 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V -760mA P-Channel 27,457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-89-3 P-Channel 1 Channel 20 V 760 mA 490 mOhms - 6 V, 6 V 1.2 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 313 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC89 20V 915MA 230MO 13,176En existencias
9,000Se espera el 17/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,720
: 3,000

Si SMD/SMT SC-89-3 N-Channel 1 Channel 20 V 915 mA 127 mOhms - 6 V, 6 V 450 mV 1.82 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 915mA N-Channel 571En existencias
21,000Se espera el 14/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,900
: 3,000

Si SMD/SMT SC-89-3 N-Channel 1 Channel 20 V 915 mA 230 mOhms - 6 V, 6 V 450 mV 1.82 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-3
76,975Se espera el 8/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-89-3 N-Channel 1 Channel 20 V 530 mA 420 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2.7 nC - 55 C + 150 C 220 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel