PowerFLAT-8 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET 1,512En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 107 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 72.5 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po 1,873En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 95 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 127 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET 2,767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8 401En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET
6,000Se espera el 26/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 125 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm 290A Automotive STripFET F8 Power MOSFET 3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 290 A 1.1 mOhms Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 13.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 13 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 15 A 255 mOhms 18 nC Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 1.3 mOhm max., 268 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 268 A 2 mOhms 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Reel, Cut Tape