MOSFET SiC de canal N NSF0x0120

Nexperia NSF0x0120 N-Channel SiC MOSFETs offer superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package for surface-mounting PCB technology. The NSF0x0120 is based on a 1200V power MOSFET with a fast switching speed. These combined features make the Nexperia NSF0x0120 MOSFETs ideal for high-power and high-voltage industrial applications, including E-vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.

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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
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Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L
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