STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
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3,099En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 117 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
1,571En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.2 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 46 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A
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4,686En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 450 V 400 mA 4.1 Ohms - 30 V, 30 V 2.3 V 10 nC - 65 C + 150 C 2 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
Hoja de datos
5,610En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 65 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
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1,020En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
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529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag
Hoja de datos
357En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
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1,530En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 61 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
Hoja de datos
4,628En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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1,426En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 49 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
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2,446En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 28 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II
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1,997En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
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912En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
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2,361En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 88 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa
Hoja de datos
1,260En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET
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3,623En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 300 V 10 A 330 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101 MESH OVERLAY Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A
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3,767En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 550 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp
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3,560En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Hoja de datos
4,189En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package
Hoja de datos
4,374En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 36 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
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850En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
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2,010En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
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733En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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806En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 900 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
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2,091En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube