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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,354

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

STL325N4LF8AG
STMicroelectronics
1: $2.58
3,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL325N4LF8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

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3,978En existencias

Cinta cortada

$2.58

$1.81

$1.41

$1.24

$1.19

Envase tipo carrete

$1.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N045M9
STMicroelectronics
1: $8.08
460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

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460En existencias

$8.08

$4.49

$4.13

$4.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: $17.03
527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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527En existencias

$17.03

$10.85

$10.84

$9.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

95 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1: $9.64
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N045M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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580En existencias

$9.64

$5.81

$5.80

$5.23

$4.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N023M9
STMicroelectronics
1: $14.64
354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N023M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N023M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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354En existencias

$14.64

$8.95

$8.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

95 A

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N045M9
STMicroelectronics
1: $9.53
1,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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1,195En existencias

$9.53

$5.62

$4.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB20N90K5
STMicroelectronics
1: $7.25
4,330En existencias
1,000Se espera el 30/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB20N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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4,330En existencias

1,000Se espera el 30/3/2026

Cinta cortada

$7.25

$4.91

$3.69

Envase tipo carrete

$3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

STD170N4F7AG
STMicroelectronics
1: $2.74
2,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD170N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD170N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in

Hoja de datos

2,325En existencias

Cinta cortada

$2.74

$1.77

$1.27

$1.06

$0.915

Envase tipo carrete

$0.915

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: $5.19
8,894En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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8,894En existencias

Cinta cortada

$5.19

$3.71

$2.95

$2.67

Envase tipo carrete

$2.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL210N4F7
STMicroelectronics
1: $2.42
2,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL210N4F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL210N4F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Hoja de datos

2,643En existencias

Cinta cortada

$2.42

$1.55

$1.05

$0.876

$0.771

Envase tipo carrete

$0.758

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V

STL40DN3LLH5
STMicroelectronics
1: $1.71
40,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL40DN3LLH5

N.º de artículo de Mouser
511-STL40DN3LLH5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V

Hoja de datos

40,876En existencias

Cinta cortada

$1.71

$1.09

$0.728

$0.574

$0.525

Envase tipo carrete

$0.484

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

16 mOhms

- 22 V, 22 V

1.5 V

4.5 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL6P3LLH6
STMicroelectronics
1: $1.61
33,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL6P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL6P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

Hoja de datos

33,325En existencias

Cinta cortada

$1.61

$1.02

$0.679

$0.534

$0.488

Envase tipo carrete

$0.443

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL9P3LLH6
STMicroelectronics
1: $1.59
98,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL9P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL9P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

Hoja de datos

98,422En existencias

Cinta cortada

$1.59

$1.01

$0.67

$0.527

$0.481

Envase tipo carrete

$0.436

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: $7.51
5,319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

5,319En existencias

$7.51

$4.10

$3.76

$3.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STP45N40DM2AG
STMicroelectronics
1: $7.60
4,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N40DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N40DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

4,772En existencias

$7.60

$4.14

$3.80

$3.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

38 A

72 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH

STB13NK60ZT4
STMicroelectronics
1: $4.73
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB13NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB13NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

710En existencias

Cinta cortada

$4.73

$3.14

$2.23

$1.95

Envase tipo carrete

$1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3

STD3N40K3
STMicroelectronics
1: $2.19
1,698En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STD3N40K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N40K3

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3

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Hoja de datos

1,698En existencias

Cinta cortada

$2.19

$1.40

$0.969

$0.822

$0.686

Envase tipo carrete

$0.653

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

1.8 A

3.4 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

STF10NM60ND
STMicroelectronics
1: $2.63
946En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

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Hoja de datos

946En existencias

$2.63

$1.32

$1.19

$1.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP18N65M2
STMicroelectronics
1: $3.21
953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

953En existencias

$3.21

$1.63

$1.47

$1.19

$1.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

275 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1

STP6N62K3
STMicroelectronics
1: $2.59
939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STP6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1

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Hoja de datos

939En existencias

$2.59

$1.27

$1.06

$0.952

$0.854

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

5.5 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

STF2N62K3
STMicroelectronics
1: $2.32
1,861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

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Hoja de datos

1,861En existencias

$2.32

$1.13

$0.885

$0.853

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

STF10N62K3
STMicroelectronics
1: $2.71
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22

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Hoja de datos

976En existencias

$2.71

$1.74

$1.18

$0.983

$0.851

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

620 V

8.4 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep

STFH13N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep

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$1.60

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$1.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

STO36N60M6
STMicroelectronics
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STO36N60M6

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package

STW35N60DM2
STMicroelectronics
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STW35N60DM2

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511-STW35N60DM2

STMicroelectronics

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$5.07

$3.40

$2.78

$2.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W