STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET 3,051En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET 5,946En existencias
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Carrete: 3,000

N-Channel 290 A 1.1 mOhms Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A 1,671En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na 1,787En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 180 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II 2,235En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 385 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5 2,921En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 162 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp 2,017En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 2,731En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID) 2,732En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 175 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 44 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A 2,988En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A 428En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 34 nC + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO 2,341En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.5 A 745 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 17.4 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh 1,030En existencias
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp 919En existencias
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 926En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 320 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II 2,119En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 160 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos 870En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET 1,003En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET 1,047En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 194En existencias
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Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9 N-Channel 2 Channel 650 V 53 A 64 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 424 W Enhancement AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 192En existencias
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Carrete: 200

Si N-Channel 650 V 64 A 35 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET 686En existencias
1,000Se espera el 6/4/2026
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET 1,142En existencias
1,000Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET 2,769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 304 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET 2,554En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 373 A 1.1 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel