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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,354

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

STP11NK40ZFP
STMicroelectronics
1: $3.15
1,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NK40ZFP

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511-STP11NK40ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

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1,256En existencias

$3.15

$1.58

$1.42

$1.16

$1.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

9 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

STP22NM60N
STMicroelectronics
1: $4.83
601En existencias

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STP22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

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601En existencias

$4.83

$2.58

$2.29

$1.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STP24NM60N
STMicroelectronics
1: $4.17
636En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24NM60N

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511-STP24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

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636En existencias

$4.17

$2.19

$1.90

$1.73

$1.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N65M2
STMicroelectronics
1: $3.64
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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503En existencias

$3.64

$1.92

$1.69

$1.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

STP2NK90Z
STMicroelectronics
1: $2.63
817En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP2NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP2NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

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817En existencias

$2.63

$1.32

$1.19

$1.02

$0.878

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

2.1 A

6.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP33N60M6
STMicroelectronics
1: $5.03
673En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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673En existencias

$5.03

$3.34

$2.38

$2.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP5N80K5
STMicroelectronics
1: $2.30
1,143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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1,143En existencias

$2.30

$1.09

$0.883

$0.767

$0.709

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH

STP5NK80ZFP
STMicroelectronics
1: $3.33
994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK80ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK80ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH

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994En existencias

$3.33

$1.67

$1.51

$1.23

$1.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.3 A

2.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

32.4 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package

STP7N105K5
STMicroelectronics
1: $3.65
907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N105K5

STMicroelectronics

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907En existencias

$3.65

$1.85

$1.67

$1.59

$1.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

STP80NF10
STMicroelectronics
1: $3.76
806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp

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806En existencias

$3.76

$1.91

$1.73

$1.67

$1.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

STQ2HNK60ZR-AP
STMicroelectronics
1: $1.34
3,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STQ2HNK60ZR-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ2HNK60ZR-AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

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3,767En existencias

$1.34

$0.845

$0.56

$0.444

$0.397

Envase tipo carrete

$0.346

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

600 V

500 mA

4.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

SuperMESH

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW40N95DK5
STMicroelectronics
1: $15.28
697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos

697En existencias

$15.28

$9.38

$9.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

38 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH

STW52NK25Z
STMicroelectronics
1: $7.08
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW52NK25Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW52NK25Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 Volt 52 Amp Zener SuperMESH

Hoja de datos

394En existencias

$7.08

$4.07

$3.41

$3.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

52 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

160 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

STW7N95K3
STMicroelectronics
1: $6.93
574En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW7N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STW7N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp

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Hoja de datos

574En existencias

$6.93

$3.98

$3.33

$3.26

$3.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

1.35 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

STW88N65M5-4
STMicroelectronics
1: $17.11
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

Obtenga más información

Hoja de datos

166En existencias

$17.11

$10.61

$10.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

84 A

29 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

STW9NK95Z
STMicroelectronics
1: $4.00
777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9NK95Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW9NK95Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

Hoja de datos

777En existencias

$4.00

$2.20

$1.81

$1.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7 A

1.38 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA75N60M6
STMicroelectronics
1: $10.39
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

Obtenga más información

Hoja de datos

492En existencias

$10.39

$6.27

$5.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

72 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

STY105NM50N
STMicroelectronics
1: $25.10
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY105NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STY105NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

Obtenga más información

Hoja de datos

186En existencias

$25.10

$17.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

88 A

22 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

326 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: $2.43
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Hoja de datos

1,075En existencias

Cinta cortada

$2.43

$1.57

$1.07

$0.881

Envase tipo carrete

$0.785

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.5 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

STB30NF10T4
STMicroelectronics
1: $2.02
1,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB30NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,412En existencias

Cinta cortada

$2.02

$1.29

$0.87

$0.692

Envase tipo carrete

$0.608

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: $5.06
836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

836En existencias

Cinta cortada

$5.06

$3.36

$2.67

$2.37

Envase tipo carrete

$2.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: $2.23
1,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

1,632En existencias

Cinta cortada

$2.23

$1.43

$0.982

$0.784

$0.70

Envase tipo carrete

$0.666

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

16.8 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: $1.76
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

2,222En existencias

Cinta cortada

$1.76

$1.12

$0.746

$0.60

$0.542

Envase tipo carrete

$0.492

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

1.8 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package

STD80N3LL
STMicroelectronics
1: $1.32
2,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N3LL

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N3LL

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package

Hoja de datos

2,977En existencias

Cinta cortada

$1.32

$0.845

$0.56

$0.449

$0.397

Envase tipo carrete

$0.346

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i

STD95P3LLH6AG
STMicroelectronics
1: $2.43
1,118En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD95P3LLH6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD95P3LLH6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i

Hoja de datos

1,118En existencias

Cinta cortada

$2.43

$1.57

$1.07

$0.856

$0.818

Envase tipo carrete

$0.786

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

9.7 mOhms

- 18 V, 18 V

2.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W