STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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1,219En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V, 48mOhms, 4A, STripFET H6 Power MOSFET
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6,488En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V
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193En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.8 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V
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3,274En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV
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2,407En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x5-12 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.05 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 67 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
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369En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7.8 A 22.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE
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1,396En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 32 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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672En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 4.8 A 860 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
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1,104En existencias
4,000En pedido
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Min.: 1
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Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 600 V 300 mA 15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 3.3 Ohm 3A SuperMESH3 3.3W
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1,450En existencias
12,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 3.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
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4,028En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 450 V 600 mA 4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
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256En existencias
1,000Se espera el 30/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
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1,089En existencias
2,000Se espera el 13/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
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700En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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590En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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5En existencias
1,000Se espera el 1/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 370 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Comentarios de Producto
738En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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468En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 49 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V Zener SuperMESH
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504En existencias
1,000Se espera el 20/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 49 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 30 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
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827En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.48ohms Zener SuperMESH 13A
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534En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 66 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube