STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh 596En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm 272En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp 471En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 423En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package 83En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 134En existencias
1,000Se espera el 2/6/2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 700En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package 634En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V 14En existencias
2,000Se espera el 1/2/2027
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 23 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 104 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A 908En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 1.5Ohm typ 5.2A Zener-protecte 334En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5.2 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement AEC-Q101 SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH 303En existencias
1,000Se espera el 27/4/2026
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR 857En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package 3,067En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 10 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16.5 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 968En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package 1,878En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 370 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 1,294En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS 1,127En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 678En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 325 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 15 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 424En existencias
2,500Se espera el 6/4/2026
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 420 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in 1,088En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 280 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package 733En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 338 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 551En existencias
2,500Se espera el 19/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 320 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 17 Amp 6,485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel