STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch 879En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 92 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp 536En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET 1,250En existencias
1,000Se espera el 27/4/2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 42 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 90 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET 1,487En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH 2,120En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 250V 0.21 15A Pwr MOSFET 1,826En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.2 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 1,959En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH 1,154En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3.7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH 2,873En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.3 A 2.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A 1,039En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package 518En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH 1,279En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A 2,119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package 7,635En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 600 V 400 mA 8.5 Ohms - 30 V, 30 V 2.25 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Ammo Pack

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V 12,662En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package 11,710En existencias
11,500Se espera el 20/4/2026
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 6 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET 3,441En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 8 A 21 mOhms, 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 1000V-6.25ohms Zener SuprMESH 1.85A 2,849En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.85 A 8.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5 4,280En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2 2,974En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 860 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH 741En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH 698En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH 2,413En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8.3 A 1.38 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 113 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package 697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 690 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package 488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 47 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube