STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
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1,144En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
1,276En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
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379En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10.5 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 87 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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508En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Hoja de datos
696En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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3,192En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
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1,325En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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1,756En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
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772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 550 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
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899En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
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1,873En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 80 V 95 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 127 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
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1,983En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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1,339En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 9 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
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1,256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 9 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
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621En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
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636En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 46 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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503En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
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817En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.1 A 6.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
Hoja de datos
986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
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1,006En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.3 A 2.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32.4 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package
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907En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
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816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
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3,767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 600 V 500 mA 4.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement SuperMESH Ammo Pack

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
Hoja de datos
697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube