Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
Hoja de datos
987En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
Hoja de datos
3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
Hoja de datos
2,993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
Hoja de datos
2,841En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
Hoja de datos
2,981En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
Hoja de datos
881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
Hoja de datos
1,920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
Hoja de datos
999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
Hoja de datos
8,908En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Hoja de datos
693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP062-60QL/SOT8002/MLPAK33
Hoja de datos
752En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 60 V 20 A 62 mOhms 20 V 2.7 V 19 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
348En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
Hoja de datos
2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
419En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms 30 V 5 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Hoja de datos
2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
Hoja de datos
343En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 115 mOhms 20 V 5 V 83 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
2,799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 2.8 mOhms 20 V 3.5 V 58 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Hoja de datos
210En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Hoja de datos
293En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 35 mOhms 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube