Microchip Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 30 V 30 V 4 VDC 5 mA 60 Ohms 360 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT SMD-3 N-Channel Single 40 V 40 V 80 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT Single 40 V - 40 V 80 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 30 V 30 V 10 VDC 20 mA 25 Ohms 360 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT SMD-3 N-Channel Single 30 V 30 V 175 mA 25 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT SMD-3 N-Channel Single 30 V 30 V 175 mA 25 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 30 V 30 V 6 VDC 10 mA 40 Ohms 360 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT SMD-3 N-Channel Single 30 V 30 V 100 mA 40 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT Single 30 V - 30 V 100 mA 40 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 30 V 30 V 4 VDC 5 mA 60 Ohms 360 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT Single 30 V - 30 V 80 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT SMD-3 N-Channel Single 30 V 30 V 80 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT P-Channel Single 30 V 30 V 10 V 75 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT P-Channel Single 30 V 30 V 10 V 75 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single 30 V 30 V 6 V 7 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT P-Channel Single 30 V 30 V 6 V 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT P-Channel Single 30 V 30 V 4 V 175 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 600 mV 30 V 4 V - 25 mA 175 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT SMD-3 N-Channel Single 30 V 30 V 80 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT SMD-3 N-Channel Single 30 V 30 V 80 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 1.3 V 30 V 10 V - 90 mA 75 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT P-Channel Single 30 V 30 V 10 V 75 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single 30 V 30 V 6 V 7 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C