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µModule GaN FETs

Resultados: 488

Filtros aplicados:

Nombre comercial = µModule

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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µModule GaN FETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4.5 mm x 4 mm
440109
440109-2
440117
440162
440166
440193
440196
440199
440201
4402015
440206
440210
440217
440223
440224
440225
440226
440226-2
BGA

15 V
28 V
32 V
36 V
40 V
48 V
50 V
60 V
65 V
80 V
84 V
100 V
120 V
125 V
145 V
150 V
160 V
170 V
200 V
350 V

774 uA
50 mA
80 mA
250 mA
326 mA
400 mA
0.5 A
500 mA
557 mA
600 mA
610 mA
650 mA
700 mA
750 mA
800 mA
950 mA
1 A
1.3 A
1.4 A
1.46 A

1 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.25 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4.9 mOhms

- 20 V, + 20 V
- 18 V, + 18 V
- 15 V, 2 V
- 10 V
- 10 V to + 6.5 V
- 10 V, + 10 V
- 10 V, + 2 V
- 10 V, + 6.5 V
- 10 V, + 7 V
- 10 V, 6.5 V
- 10 V, 7 V
- 10 V,+ 2 V
- 8 V, 2 V
- 7 V, + 2 V
- 7 V, + 7 V
- 7 V, 2 V
- 6 V, + 6 V
- 6 V, + 7 V
- 4 V
- 4 V, + 5.5 V

- 10 V, 2 V
- 3.8 V
- 3.4 V
- 3 V
- 2.9 V
- 2.8 V
- 2.7 V
- 2.5 V
- 2.2 V
- 2 V
- 1.8 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
2 V
2.1 V
2.3 V
2.4 V

44 pC
115 pC
133 pC
360 pC
370 pC
0.5 nC
0.53 nC
0.65 nC
670 pC
700 pC
730 pC, 730 pC
745 pC
0.8 nC
800 pC
0.85 nC
0.87 nC
880 pC
1 nC
1.1 nC
1.2 nC

200 mW
1.1 W
5 W
7.5 W
8 W
8.4 W
8.9 W
11 W
12 W
12.5 W
13 W
13.2 W
13.5 W
13.8 W
14 W
14.7 W
15 W
15.3 W
15.8 W
16 W