|
|
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
$9.96
-
374En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT070R70HTO
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
374En existencias
|
|
|
$9.96
|
|
|
$5.49
|
|
|
$5.13
|
|
|
$4.19
|
|
|
$4.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-LL-11
|
|
|
700 V
|
26 A
|
70 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
231 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$6.85
-
728En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT080R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
728En existencias
|
|
|
$6.85
|
|
|
$3.65
|
|
|
$3.34
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
29 A
|
80 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
6.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
188 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$5.95
-
768En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT105R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
768En existencias
|
|
|
$5.95
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.59
|
|
|
$2.49
|
|
|
$2.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
21.7 A
|
105 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
4.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
158 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$5.07
-
637En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT140R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
637En existencias
|
|
|
$5.07
|
|
|
$3.62
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.62
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.88
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.88
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
17 A
|
140 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
113 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$4.03
-
790En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT190R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
790En existencias
|
|
|
$4.03
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
11.5 A
|
190 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$3.82
-
693En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT240R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
693En existencias
|
|
|
$3.82
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.75
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
10 A
|
240 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
76 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
$2.80
-
552En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT350R70GTK
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
552En existencias
|
|
|
$2.80
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.996
|
|
|
$0.832
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
DPAK-3
|
|
|
700 V
|
6 A
|
350 mOhms
|
- 1.4 V, + 7 V
|
2.5 V
|
1.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
47 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT1D5R10MEA
- STMicroelectronics
-
1:
$8.29
-
498Se espera el 27/8/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT1D5R10MEA
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
498Se espera el 27/8/2026
|
|
|
$8.29
|
|
|
$5.84
|
|
|
$4.72
|
|
|
$4.20
|
|
|
$3.37
|
|
|
$3.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
FCLGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
501 A
|
1.5 mOhms
|
- 4 V to + 6 V
|
2.1 V
|
15.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
735 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
STMicroelectronics SGT240R70ITK
- SGT240R70ITK
- STMicroelectronics
-
1:
$2.72
-
2,500En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT240R70ITK
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
2,500En pedido
|
|
|
$2.72
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.35
|
|
|
$0.904
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.963
|
|
|
$0.884
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT3D5R10MEB
- STMicroelectronics
-
1:
$3.72
-
500En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT3D5R10MEB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
500En pedido
|
|
|
$3.72
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.28
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
FCLGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
201 A
|
3.5 mOhms
|
- 4 V to + 6 V
|
2.1 V
|
6.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
255 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT65R65AL
- STMicroelectronics
-
3,000:
$5.48
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT65R65AL
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
25 A
|
65 mOhms
|
+ 6 V
|
1.8 V
|
5.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
305 W
|
|
GaN-on-Si
|
|
