TO-52-3 Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente Voltaje de corte puerta-fuente Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0 Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Dp - Disipación de potencia Serie Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise 369En existencias
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 10 V - 25 V - 4 V 30 mA 1 nA 500 mW (1/2 W) U309 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise 118En existencias
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 15 V - 25 V - 4 V 30 mA 10 mA 10 Ohms 300 mW IFN543 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise 140En existencias
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 10 V - 25 V - 6 V 60 mA 1 nA 500 mW (1/2 W) U308 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -20V Low Noise 677En existencias
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 10 V - 20 V - 2 V 300 mA 500 pA 300 mW IF9030 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise 599En existencias
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 10 V - 25 V - 6 V 60 mA 1 nA 500 mW (1/2 W) U310 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise No en existencias
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 15 V - 25 V - 10 V 150 mA 10 mA 5 Ohms 300 mW IFN543 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise No en existencias
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 15 V - 25 V - 9 V 100 mA 10 mA 7 Ohms 300 mW IFN543 Bulk